MT46V16M16TG-5B:F TR是美光科技生产的一款256Mbit容量DDR SDRAM存储器，采用16位宽并联接口。该器件基于DDR技术，在200MHz的时钟频率下可实现400MT/s的有效数据传输速率，显著提升了数据吞吐能力。
其核心参数包括700ps的快速访问时间与15ns的写周期时间，确保了高效的数据读写响应。器件工作在2.5V至2.7V电压范围内，采用66引脚TSOP表面贴装封装，适用于0°C至70°C的商业温度环境。这些特性使其成为需要稳定、中等性能内存解决方案的各类嵌入式系统的合适选择。
- 型号:MT46V16M16TG-5B:F TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:66-TSOP
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 256MBIT PARALLEL 66TSOP
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR
- 存储容量:256Mb
- 存储器组织:16M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:200 MHz
- 写周期时间 - 字，页:15ns
- 访问时间:700 ps
- 电压 - 供电:2.5V ~ 2.7V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:66-TSSOP（szeroko 0，400，10，16mm）
- 供应商器件封装:66-TSOP
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