MT49H16M18FM-33:B TR是美光科技生产的一款288Mb容量并行DRAM芯片。该器件采用16M x 18位的存储结构，工作电压为1.7V至1.9V，标准时钟频率可达300MHz，并具备20ns的快速访问时间。
其核心优势在于高速的数据吞吐能力与较低的功耗表现，通过144-TFBGA封装实现紧凑的表面贴装设计。该芯片支持0°C至95°C的工业级工作温度范围，主要面向需要高性能数据缓冲和临时存储的通信、工业控制及专业视频处理等应用领域。
- 型号:MT49H16M18FM-33:B TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:144-BGA（18.5x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 288MBIT PARALLEL 144UBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:南皇电子 停止提供
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:DRAM
- 存储容量:288Mb
- 存储器组织:16M x 18
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:300 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:20 ns
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:144-TFBGA
- 供应商器件封装:144-BGA（18.5x11）
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