MT49H16M18BM-33:B TR

MT49H16M18BM-33:B TR是美光科技生产的一款288Mbit容量RLDRAM 2存储器，采用16M x 18的组织结构。该芯片的核心优势在于其高达3.3ns的访问速度，以及1.7V至1.9V的低工作电压，专为要求极低延迟和高带宽的应用场景而设计。

器件采用并联接口和144-TFBGA紧凑封装，在0°C至95°C的工业温度范围内提供稳定的性能。其技术参数精准针对网络基础设施、高端通信及实时数据处理系统，能够有效满足这些领域对内存子系统高速响应和大数据吞吐量的严苛需求。

• Micron美光半导体完整型号：MT49H16M18BM-33:B TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC RLDRAM 288MBIT 3.3NS UBGA
• 系列：-
• 格式 - 存储器：RAM
• 存储器类型：RLDRAM 2
• 存储容量：288M（16M x 18）
• 速度：3.3ns
• 接口：并联
• 电压 - 电源：1.7 V ~ 1.9 V
• 工作温度：0°C ~ 95°C
• 封装/外壳：144-TFBGA
• 供应商器件封装：144-BGA （18.5x11）
• 想获取MT49H16M18BM-33:B TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料