MT47H64M8SH-25E IT:H TR是美光科技推出的一款512Mbit容量DDR2 SDRAM芯片，采用64M x 8的并行架构。该器件在400MHz时钟频率下运行，提供高达800MT/s的数据传输速率，并工作在1.7V至1.9V的低电压范围内，实现了性能与功耗的良好平衡。
其关键参数包括400ps的快速访问时间和15ns的写周期时间，确保了高效的数据处理能力。该芯片采用60-TFBGA封装，支持表面贴装，并具备-40°C至95°C的宽工作温度范围，满足工业级应用的可靠性要求。
- 型号:MT47H64M8SH-25E IT:H TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:60-FBGA（8x10）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR2
- 存储容量:512Mb
- 存储器组织:64M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:400 MHz
- 写周期时间 - 字，页:15ns
- 访问时间:400 ps
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:60-TFBGA
- 供应商器件封装:60-FBGA（8x10）
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