M29W640GB6AZA6E是美光科技生产的一款64Mb并行NOR闪存芯片，采用48-TFBGA封装。该器件提供8M x 8位或4M x 16位的灵活配置，支持快速的随机访问，其访问时间和写周期时间均为60ns，确保了高效的数据处理能力。
芯片工作电压范围为2.7V至3.6V，工作温度覆盖-40°C至85°C，具备工业级的可靠性和环境适应性。其非易失性存储特性和NOR架构使其成为存储并直接执行关键系统代码（如启动程序、固件）的理想选择，广泛应用于工业控制、汽车电子及网络设备等领域。
- 型号:M29W640GB6AZA6E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:48-TFBGA（6x8）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 64MBIT PARALLEL 48TFBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NOR
- 存储容量:64Mbit
- 存储器组织:8M x 8，4M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:60ns
- 访问时间:60 ns
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:48-TFBGA
- 供应商器件封装:48-TFBGA（6x8）
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