MT41K256M4DA-107:J TR

MT41K256M4DA-107:J TR是美光科技生产的一款1Gb容量DDR3 SDRAM芯片，采用78-TFBGA表面贴装封装。该器件基于256M x 4的存储架构，核心优势在于其933MHz的时钟频率，可提供高达1866 MT/s的数据传输速率，满足高性能计算对内存带宽的苛刻需求。

芯片工作在1.35V典型电压下，支持宽电压范围（1.283V~1.45V），在提升速度的同时注重能效控制。其特性包括可编程的时序参数、用于提升信号完整性的ZQ校准与片上终端（ODT）功能，以及适应工业环境要求的0°C至95°C工作温度范围。这些特性使其成为网络通信、嵌入式系统及各类需要可靠、高速数据缓冲应用的理想存储器解决方案。

• 型号:MT41K256M4DA-107:J TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:78-FBGA（8x10.5）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 1GBIT PAR 78FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR3
• 存储容量:1Gb
• 存储器组织:256M x 4
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:933 MHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:20 ns
• 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:78-TFBGA
• 供应商器件封装:78-FBGA（8x10.5）
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