M25P128-VME6TGB TR

M25P128-VME6TGB TR是美光科技推出的一款128Mb容量串行NOR闪存芯片。它采用SPI接口，最高支持54MHz时钟频率，提供了高效的数据读写路径。其核心架构基于可靠的浮栅技术，确保数据在断电后永久保存。

该器件工作电压为2.7V至3.6V，并支持-40°C至85°C的工业级工作温度范围，适用于环境要求严苛的应用。其页编程和扇区擦除时间短，配合写保护等硬件特性，为系统固件、参数配置等关键数据的存储提供了稳定、快速的解决方案。芯片采用8-VDFN表面贴装封装，有利于实现紧凑的电路板设计。

• 型号:M25P128-VME6TGB TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:8-VDFPN（MLP8）（8x6）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 128MBIT SPI 8VDFPN
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NOR
• 存储容量:128Mb
• 存储器组织:16M x 8
• 存储器接口:SPI
• 时钟频率:54 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ms，5ms
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-VDFN 焊盘
• 供应商器件封装:8-VDFPN（MLP8）（8x6）
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