MT40A512M16JY-062E:B TR是一款由美光科技生产的8Gb容量DDR4 SDRAM芯片。该器件采用512M x 16的并行存储结构，基于DDR4技术标准，能够提供高达1.6GHz的时钟频率，实现每秒3200兆次传输的数据速率，为系统带来显著的高带宽性能提升。
其工作电压范围为1.14V至1.26V，在保障高速运行的同时优化了功耗表现。该芯片采用96-TFBGA表面贴装封装，并以卷带形式供货，适用于自动化生产。其工作温度范围覆盖0°C至95°C，确保了在宽温环境下的稳定运行，适合应用于对可靠性和性能有双重要求的嵌入式及网络通信系统。
- 型号:MT40A512M16JY-062E:B TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:96-FBGA（8x14）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR4
- 存储容量:8Gb
- 存储器组织:512M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:1.6 GHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.14V ~ 1.26V
- 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:96-TFBGA
- 供应商器件封装:96-FBGA（8x14）
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