MT47H128M4B6-3:D TR

MT47H128M4B6-3:D TR是美光科技生产的一款512Mb容量DDR2 SDRAM存储器，采用128M x 4位的组织架构。该器件基于并联接口，工作时钟频率为333MHz，实现高达667MT/s的数据传输速率，其核心优势在于450ps的快速访问时间与15ns的写周期时间，为系统提供了高效的数据吞吐能力。

该芯片采用1.8V典型供电（范围1.7V~1.9V），显著优化了功耗表现。其表面贴装型的60-FBGA封装形式紧凑，适用于高密度电路板设计。尽管产品状态为停产，但其成熟的DDR2技术、0°C至85°C的工作温度范围以及稳定的性能参数，使其在需要可靠、中等带宽存储解决方案的嵌入式系统和工业控制应用中仍具备明确的实用价值。

• 型号:MT47H128M4B6-3:D TR
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:60-FBGA
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR2
• 存储容量:512Mb
• 存储器组织:128M x 4
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:333 MHz
• 写周期时间 - 字，页:15ns
• 访问时间:450 ps
• 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
• 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:60-FBGA
• 供应商器件封装:60-FBGA
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