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MICRON
MT47H64M8CF-25E L:G的图片

MT47H64M8CF-25E L:G

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
原厂封装:封装:60-FBGA(8x10)
优势价格,MT47H64M8CF-25E L:G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT47H64M8CF-25E L:G的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT47H64M8CF-25E L:G 是美光科技推出的一款 512Mb(64M x 8)容量 DDR2 SDRAM 芯片,采用 60-TFBGA 封装。该器件基于 DDR2 技术,在 400MHz 时钟频率下运行,实现高达 800Mbps/pin 的数据传输速率,其 1.8V 典型工作电压有助于实现高性能与低功耗的平衡。

该内存提供 400ps 的快速访问时间和 15ns 的写周期时间,并支持可编程突发长度,为高速数据缓冲应用提供了可靠的性能基础。其工作温度范围覆盖 0°C 至 85°C,适用于对稳定性和带宽有要求的各类网络、工业及嵌入式系统。

  • 型号:MT47H64M8CF-25E L:G
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:60-FBGA(8x10)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
  • 系列:-
  • 包装:托盘
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - DDR2
  • 存储容量:512Mb
  • 存储器组织:64M x 8
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:400 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:15ns
  • 访问时间:400 ps
  • 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
  • 工作温度:0°C ~ 85°C(TC)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:60-TFBGA
  • 供应商器件封装:60-FBGA(8x10)
  • 想获取MT47H64M8CF-25E L:G的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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