MT29F2G08ABAEAWP:E TR是美光科技生产的一款2Gb容量NAND闪存芯片，采用256M x 8位的组织架构和并行接口。该器件属于非易失性存储器，数据在断电后不会丢失，其核心卖点在于宽泛的2.7V至3.6V工作电压范围，使其能轻松适配标准的3.3V系统电源。
该芯片采用48-TSOP表面贴装封装，支持0°C至70°C的商用工作温度，确保了在常见电子设备环境下的可靠性。其异步并行接口设计简化了系统连接，适用于需要稳定、中等容量数据存储的嵌入式应用，为固件、参数和用户数据提供了经济高效的存储方案。
- 型号:MT29F2G08ABAEAWP:E TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:48-TSOP I
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP I
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:最后售卖
- 南皇电子 可编程:已验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:2Gb
- 存储器组织:256M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:48-TFSOP（0.724，18.40mm 宽）
- 供应商器件封装:48-TSOP I
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