MT29F1T208ECHBBJ4-3R:B TR是美光科技生产的一款大容量并行NAND闪存芯片，提供高达1.125Tb（144GB）的非易失性存储空间，采用144G x 8位的内部架构。
该器件通过并联接口运行，支持333MHz的时钟频率，确保了较高的数据传输带宽。其工作电压为2.5V至3.6V，采用132-VBGA表面贴装封装，工作温度范围为0°C至70°C，适用于需要高速、大容量数据存储的各类嵌入式与工业应用场景。
- 型号:MT29F1T208ECHBBJ4-3R:B TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:132-VBGA（12x18）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 1.125TBIT PAR 132VBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:1.125Tb
- 存储器组织:144G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:333 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.5V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:132-VBGA
- 供应商器件封装:132-VBGA（12x18）
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