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MICRON
MT47H64M8B6-37E IT:D TR的图片

MT47H64M8B6-37E IT:D TR

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA
原厂封装:封装:60-FBGA
优势价格,MT47H64M8B6-37E IT:D TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT47H64M8B6-37E IT:D TR的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT47H64M8B6-37E IT:D TR是美光科技生产的一款512Mb容量DDR2 SDRAM,采用64M x 8位的组织架构和并行接口,封装形式为60-FBGA。该器件在1.8V供电下工作,时钟频率可达267MHz,实现533MT/s的数据传输速率,其500ps的快速访问时间和15ns的写周期时间保证了高效的数据处理能力。

产品设计支持宽温工作范围(-40°C至95°C),并采用表面贴装形式,适用于对环境适应性和可靠性有较高要求的工业及嵌入式应用。作为一款成熟的DDR2解决方案,它为需要中等容量、高带宽内存的系统提供了稳定可靠的选择。

  • 型号:MT47H64M8B6-37E IT:D TR
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:60-FBGA
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 512MBIT PAR 60FBGA
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - DDR2
  • 存储容量:512Mb
  • 存储器组织:64M x 8
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:267 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:15ns
  • 访问时间:500 ps
  • 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
  • 工作温度:-40°C ~ 95°C(TC)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:60-FBGA
  • 供应商器件封装:60-FBGA
  • 想获取MT47H64M8B6-37E IT:D TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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