MT53E256M16D1FW-046 AIT:B是美光科技生产的一款4Gb容量LPDDR4 DRAM芯片，采用FBGA封装。该器件专为满足现代移动和嵌入式系统对高性能与低功耗的双重需求而设计，是美光存储器产品线中的一款有源、成熟解决方案。
其核心卖点在于采用了先进的LPDDR4接口技术，能够在提供高数据传输带宽的同时，实现优异的功耗控制。该芯片支持多种低功耗工作模式，有助于显著提升终端设备的电池续航能力。其托盘包装形式也便于自动化生产与高效供应链管理。
总体而言，MT53E256M16D1FW-046 AIT:B通过整合高密度存储与低功耗特性，为目标应用提供了可靠的内存基础，适用于对尺寸、能效和性能有严格要求的各类电子设备。
- 型号:MT53E256M16D1FW-046 AIT:B
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:200-TFBGA（10x14.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 4GBIT PAR 200TFBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:在售
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
- 存储容量:4Gb
- 存储器组织:256M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:2.133 GHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.1V
- 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q100
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:200-TFBGA
- 供应商器件封装:200-TFBGA（10x14.5）
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