M29W128GH7AZA6E

M29W128GH7AZA6E是美光科技生产的一款128Mb并行NOR闪存芯片，提供16M x 8位或8M x 16位的组织架构。该器件采用2.7V至3.6V单电源供电，访问时间与写周期时间均为70ns，具备快速的数据吞吐能力。

其采用64-TBGA表面贴装封装，工作温度范围为-40°C至85°C，满足工业环境应用要求。作为一款非易失性存储器，它适用于需要可靠代码存储和高速直接执行的嵌入式系统，如通信设备、工控主板等。

• 制造商产品型号：M29W128GH7AZA6E
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 128MBIT PARALLEL 64TBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：托盘
• 系列：-
• 零件状态：停产
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：FLASH - NOR
• 存储容量：128Mb（16M x 8，8M x 16）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：-
• 写周期时间-字，页：70ns
• 访问时间：70ns
• 电压-供电：2.7V ~ 3.6V
• 工作温度：-40°C ~ 85°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：64-TBGA
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