MT47H64M8B6-25E L:D TR是美光科技生产的一款512Mbit DDR2 SDRAM组件，采用64M x 8位的存储结构。该器件基于DDR2技术，在400MHz的时钟频率下可实现高达800MT/s的数据传输速率，并提供400ps的快速访问时间，旨在满足需要高带宽并行数据接口的应用需求。
其工作电压范围为1.7V至1.9V，在降低系统功耗的同时，确保了信号稳定性。该芯片采用60-FBGA表面贴装封装，支持0°C至85°C（TC）的商业温度范围，适用于各类嵌入式系统和网络设备。其核心参数组合为中等容量、高速率的内存应用提供了一个经过验证的解决方案。
- 型号:MT47H64M8B6-25E L:D TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:60-FBGA
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR2
- 存储容量:512Mb
- 存储器组织:64M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:400 MHz
- 写周期时间 - 字，页:15ns
- 访问时间:400 ps
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:60-FBGA
- 供应商器件封装:60-FBGA
- 想获取MT47H64M8B6-25E L:D TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
