M29W800DT70ZE6F TR是美光科技生产的一款8Mb并行NOR闪存芯片，采用48-TFBGA封装。该器件提供1M x 8位或512K x 16位的存储容量配置，支持2.7V至3.6V的宽电压供电，并能在-40°C至85°C的工业级温度范围内稳定工作。
其核心优势在于70ns的快速访问时间和写周期时间，确保了高效的数据读写操作。作为非易失性存储器，它适用于需要可靠存储启动代码、应用程序或关键系统参数的嵌入式设计，曾是工业控制、通信设备等领域的经典存储解决方案。
- 型号:M29W800DT70ZE6F TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:48-TFBGA（6x8）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48TFBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NOR
- 存储容量:8Mb
- 存储器组织:1M x 8，512K x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:70ns
- 访问时间:70 ns
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:48-TFBGA
- 供应商器件封装:48-TFBGA（6x8）
- 想获取M29W800DT70ZE6F TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
