MT29F2G08ABAEAH4-IT:E是美光科技推出的一款2Gb（256M x 8）容量NAND闪存芯片，采用并行接口，电压供应范围为2.7V至3.6V。该器件基于非易失性闪存技术，确保数据在断电后持久保存，其表面贴装型的63-VFBGA封装优化了空间占用，适用于高密度PCB设计。
该芯片的核心优势在于其工业级的稳健性，工作温度范围达-40°C至85°C，能够适应苛刻的环境条件。其并联架构提供了与微控制器的直接、高效连接，简化了系统设计并提升了数据存取效率。这些特性使其成为工业控制、汽车电子及消费类嵌入式设备中可靠的大容量存储解决方案。
- 型号:MT29F2G08ABAEAH4-IT:E
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:63-VFBGA（9x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 2GBIT PARALLEL 63VFBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:最后售卖
- 南皇电子 可编程:已验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:2Gb
- 存储器组织:256M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:63-VFBGA
- 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
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