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MICRON
MT53E128M32D2DS-046 AAT:A的图片

MT53E128M32D2DS-046 AAT:A

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 4GBIT 2.133GHZ 200WFBGA
原厂封装:封装:200-WFBGA(10x14.5)
优势价格,MT53E128M32D2DS-046 AAT:A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT53E128M32D2DS-046 AAT:A的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT53E128M32D2DS-046 AAT:A是美光科技推出的一款4Gb容量、采用LPDDR4技术的移动SDRAM。该器件以2.133GHz的时钟频率运行,提供高达4266 MT/s的数据传输速率,能够显著提升系统在数据处理和图形渲染方面的性能。

其核心优势在于优异的能效表现,通过0.6V和1.1V的双电压供电以及LPDDR4标准的一系列节能技术,在保证高性能的同时实现了极低的功耗。此外,该芯片采用200-WFBGA小型化封装,并支持-40°C至105°C的宽工作温度范围,确保了其在空间受限及环境严苛的移动与嵌入式应用中的可靠性和适用性。

  • 型号:MT53E128M32D2DS-046 AAT:A
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:200-WFBGA(10x14.5)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 4GBIT 2.133GHZ 200WFBGA
  • 系列:-
  • 包装:托盘
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 存储容量:4Gb
  • 存储器组织:128M x 32
  • 存储器接口:-
  • 时钟频率:2.133 GHz
  • 写周期时间 - 字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压 - 供电:1.1V
  • 工作温度:-40°C ~ 105°C(TC)
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q100
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:200-WFBGA
  • 供应商器件封装:200-WFBGA(10x14.5)
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