MT47H64M16NF-25E:M是美光科技生产的一款1Gb容量DDR2 SDRAM芯片，采用64M x 16位组织架构。该器件基于并联接口，在400MHz时钟频率下运行，可实现高速数据传输，其低至1.7V~1.9V的工作电压有助于优化系统能效。
该芯片提供15ns的写周期时间和400ps的访问时间，确保了快速的数据存取性能。其采用84-TFBGA封装，支持表面贴装，工作温度范围为0°C至85°C，适用于需要商业级温度范围和高密度存储解决方案的各类电子设备。
- 型号:MT47H64M16NF-25E:M
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:84-FBGA（8x12.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:在售
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR2
- 存储容量:1Gb
- 存储器组织:64M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:400 MHz
- 写周期时间 - 字，页:15ns
- 访问时间:400 ps
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:84-TFBGA
- 供应商器件封装:84-FBGA（8x12.5）
- 想获取MT47H64M16NF-25E:M的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
