MT29F256G08CKCABH2-10Z:A TR

MT29F256G08CKCABH2-10Z:A TR 是美光科技生产的一款256Gb容量NAND闪存芯片，采用并联接口和MLC技术。该器件以32G x 8位的结构组织，在2.7V至3.6V电压下工作，支持最高100MHz的操作频率，能够提供高速的数据读写性能。

其物理封装为100-TBGA，采用表面贴装形式，适用于自动化制造。该芯片工作于0°C至70°C的商业温度范围，并以卷带形式包装。作为一款大容量非易失存储解决方案，它主要设计用于需要可靠、高密度数据存储的电子系统中。

• 制造商产品型号：MT29F256G08CKCABH2-10Z:A TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 256GBIT PAR 100TBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：停产
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：256Gb（32G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：100MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.7V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：100-TBGA
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