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| MT8VDDT6464HG-335F2的报价和技术资料 - 美光(MICRON)授权中国代理商 |
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MT8VDDT6464HG-335F2

美光(MICRON)图标
存储器 - 模块
制造厂商：美光(MICRON)
功能简述：MODULE DDR SDRAM 512MB 200SODIMM
原厂封装：200-SODIMM
优势价格，MT8VDDT6464HG-335F2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT8VDDT6464HG-335F2的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT8VDDT6464HG-335F2是美光科技推出的一款DDR SDRAM内存模块，采用200针SODIMM标准封装。该模块提供512MB的存储容量，数据传输速率高达333MT/s，能够为各类紧凑型计算设备提供高效的数据缓存和交换能力。

其设计遵循工业标准，兼容性良好，并集成SPD功能以实现自动配置。该模块适用于对空间、功耗和可靠性有较高要求的嵌入式及工业应用场景，是构建稳定运行平台的常用内存解决方案之一。

  • Micron美光半导体完整型号: MT8VDDT6464HG-335F2
  • 制造商：Micron Technology（美光科技）
  • 功能总体简述: MODULE DDR SDRAM 512MB 200SODIMM
  • 系列: -
  • 存储器类型: DDR SDRAM
  • 存储容量: 512MB
  • 速度: 333MT/s
  • 封装/外壳: 200-SODIMM
  • 想获取MT8VDDT6464HG-335F2的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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