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MICRON
MT47H64M16HR-25E IT:H TR的图片

MT47H64M16HR-25E IT:H TR

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
原厂封装:封装:84-FBGA(8x12.5)
优势价格,MT47H64M16HR-25E IT:H TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT47H64M16HR-25E IT:H TR的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT47H64M16HR-25E IT:H TR是美光科技生产的一款1Gb容量DDR2 SDRAM存储器,采用64M x 16位的组织架构和并联接口。该器件运行于400MHz时钟频率,实现高速数据传输,其核心工作电压为1.7V~1.9V,兼顾了性能与功耗的平衡。

该芯片采用84-TFBGA表面贴装封装,提供卷带或剪切带包装,支持-40°C至95°C的宽工业温度范围,确保了在恶劣环境下的稳定性与可靠性。其特性包括快速的访问时间(400ps)和写周期,适用于需要高带宽、低延迟数据存取的各类嵌入式系统与工业应用场景。

  • 型号:MT47H64M16HR-25E IT:H TR
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:84-FBGA(8x12.5)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - DDR2
  • 存储容量:1Gb
  • 存储器组织:64M x 16
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:400 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:15ns
  • 访问时间:400 ps
  • 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
  • 工作温度:-40°C ~ 95°C(TC)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:84-TFBGA
  • 供应商器件封装:84-FBGA(8x12.5)
  • 想获取MT47H64M16HR-25E IT:H TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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