MT47H64M16HR-25E:H TR是一款1Gb容量的DDR2 SDRAM存储器,采用64M x 16位的组织架构。该器件基于并联接口,支持高达400MHz的时钟频率,实现800MT/s的数据传输速率,其访问时间为400ps,写周期时间为15ns,能够满足高速数据缓冲和实时处理的应用需求。
芯片采用1.8V核心电压供电,工作温度范围为0°C至85°C,并以84-TFBGA表面贴装封装形式提供,适用于空间受限的嵌入式设计。作为美光科技DDR2产品线的一员,它主要面向网络设备、工业控制系统及需要稳定内存性能的嵌入式领域。
- 型号:MT47H64M16HR-25E:H TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:84-FBGA(8x12.5)
- 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带(TR)
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR2
- 存储容量:1Gb
- 存储器组织:64M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:400 MHz
- 写周期时间 - 字,页:15ns
- 访问时间:400 ps
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:0°C ~ 85°C(TC)
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:84-TFBGA
- 供应商器件封装:84-FBGA(8x12.5)
- 想获取MT47H64M16HR-25E:H TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料