MT29F4G08ABBEAH4:E TR是美光科技生产的一款4Gb容量NAND闪存芯片，采用512M x 8位的存储结构。该器件基于并联接口设计，通过8位I/O总线实现与主机控制器的高速数据通信，其工作电压范围为1.7V至1.95V，有助于实现低功耗运行。
芯片采用63-VFBGA紧凑型封装，支持表面贴装，适用于空间受限的嵌入式设计。其工作温度范围为0°C至70°C，具备良好的环境适应性。该产品为非易失性存储器，适用于需要可靠固件存储、数据记录或参数保存的各类电子系统。
- 型号:MT29F4G08ABBEAH4:E TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:63-VFBGA（9x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:4Gb
- 存储器组织:512M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:63-VFBGA
- 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
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