MT47H512M8WTR-3:C是美光科技生产的一款4Gb容量DDR2 SDRAM芯片，采用512M x 8位组织架构的并行DRAM。该器件基于成熟的DDR2技术，在333MHz时钟频率下可实现667MT/s的有效数据传输速率，提供较高的内存带宽以满足数据密集型应用的需求。
其关键参数包括450ps的快速访问时间、15ns的写周期时间以及1.8V（1.7V~1.9V范围）的工作电压，在性能与功耗之间取得了良好平衡。器件采用63-TFBGA表面贴装封装，工作温度范围为0°C至85°C（TC），适用于要求紧凑布局和商业级温度范围的各类嵌入式及网络系统设计。
- 型号:MT47H512M8WTR-3:C
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:63-FBGA（9x11.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 63FBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR2
- 存储容量:4Gb
- 存储器组织:512M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:333 MHz
- 写周期时间 - 字，页:15ns
- 访问时间:450 ps
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:63-TFBGA
- 供应商器件封装:63-FBGA（9x11.5）
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