MT41K256M16TW-125:P是美光科技生产的一款4Gb容量DDR3L SDRAM芯片，采用256M x 16位的组织架构。该器件核心优势在于其800MHz时钟频率与1.283V~1.45V的低电压供电，在提供高达1600MT/s数据传输速率的同时，实现了显著的功耗降低，符合现代电子系统对能效的严格要求。
其采用96-TFBGA封装，支持表面贴装，工作温度范围覆盖0°C至95°C（TC），具备良好的环境适应性。该芯片适用于各类需要并行接口、高性能且注重功耗管理的嵌入式内存解决方案。
- 型号:MT41K256M16TW-125:P
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:96-FBGA（8x14）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR3L
- 存储容量:4Gb
- 存储器组织:256M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:800 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:20 ns
- 电压 - 供电:1.283V ~ 1.45V
- 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:96-TFBGA
- 供应商器件封装:96-FBGA（8x14）
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