MT29F512G08CUCDBJ6-6R:D TR是美光科技推出的一款512Gb容量NAND闪存芯片，采用并联接口与132-LBGA封装。该器件基于浮栅技术实现非易失性数据存储，支持高达166MHz的时钟频率，确保高速数据传输能力，其2.7V至3.6V的宽电压供电范围兼容主流3.3V系统设计。
芯片组织架构为64G x 8位，适用于大容量数据存储场景，工作温度覆盖0°C至70°C，满足常规商业与工业环境要求。尽管目前已停产，其高密度、高带宽的特性使其在历史存储方案中曾扮演重要角色，为相关应用提供可靠的存储基础。
- 型号:MT29F512G08CUCDBJ6-6R:D TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:132-LBGA（12x18）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 512GBIT PAR 132LBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NAND（MLC）
- 存储容量:512Gb
- 存储器组织:64G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:166 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:132-LBGA
- 供应商器件封装:132-LBGA（12x18）
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