MT47H512M8WTR-25E:C TR是美光科技生产的一款4Gb容量DDR2 SDRAM芯片，采用512M x 8的存储组织架构。该器件提供高达400MHz的时钟频率，实现800MT/s的数据传输速率，其400ps的快速访问时间和15ns的写周期时间，确保了高效的数据处理能力。
芯片采用1.8V典型供电电压（范围1.7V~1.9V），在0°C至85°C的工作温度范围内保持稳定性能。其63-TFBGA封装和并行接口设计，适用于需要表面贴装和高密度布局的各类电子系统，为网络、计算及工业控制应用提供可靠的大容量、高速存储解决方案。
- 型号:MT47H512M8WTR-25E:C TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:63-FBGA（9x11.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 4GBIT PARALLEL 63FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR2
- 存储容量:4Gb
- 存储器组织:512M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:400 MHz
- 写周期时间 - 字，页:15ns
- 访问时间:400 ps
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:63-TFBGA
- 供应商器件封装:63-FBGA（9x11.5）
- 想获取MT47H512M8WTR-25E:C TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
