M29W800DB45ZE6E

M29W800DB45ZE6E是美光科技生产的一款8Mb并行NOR闪存芯片，采用48-TFBGA封装。该芯片提供1M x 8位或512K x 16位的存储组织方式，支持快速的系统启动和代码直接执行，其核心优势在于45ns的快速访问时间和字/页写入周期，能够有效提升嵌入式系统的实时响应性能。

该器件工作电压范围为2.7V至3.6V，兼容主流3.3V系统，并能在-40°C至85°C的宽温范围内可靠工作，满足工业级应用的环境要求。其并行接口设计简化了与微处理器的连接，支持灵活的字节/字模式访问。尽管产品状态为停产，但其成熟的架构和稳定的参数使其在对长期可靠性和性能有要求的存量市场中仍具应用价值。

• 型号:M29W800DB45ZE6E
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:48-TFBGA（6x8）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC FLASH 8MBIT PARALLEL 48TFBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:非易失
• 存储器格式:闪存
• 技术:FLASH - NOR
• 存储容量:8Mb
• 存储器组织:1M x 8，512K x 16
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:-
• 写周期时间 - 字，页:45ns
• 访问时间:45 ns
• 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
• 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:48-TFBGA
• 供应商器件封装:48-TFBGA（6x8）
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