MT29F32G08ABEDBJ4-12:D TR是美光科技推出的一款32Gb（4G x 8）容量并行接口NAND闪存芯片。该器件采用闪存技术，属于非易失性存储器，确保数据在断电后不丢失。其核心特性包括支持高达83MHz时钟频率的并联接口，以及2.7V至3.6V的宽工作电压范围，旨在为嵌入式存储应用提供可靠的数据存储解决方案。
该芯片设计用于满足商业温度范围（0°C至70°C）内工作的电子设备需求，并以卷带（TR）形式供货，便于自动化生产。其32Gb的大容量和并行接口架构，使其适合作为各类中等性能要求的电子系统中的主要存储介质。
- 型号:MT29F32G08ABEDBJ4-12:D TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:132-VBGA（12x18）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 32GBIT PAR 132VBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:32Gb
- 存储器组织:4G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:83 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:132-VBGA
- 供应商器件封装:132-VBGA（12x18）
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