MT47H32M16NF-25E AIT:H是美光科技推出的一款512Mb DDR2 SDRAM芯片，采用32M x 16的存储结构。该器件基于并联接口设计，时钟频率为400MHz（数据速率800MT/s），具备高速数据吞吐能力，其400ps的访问时间和15ns的写周期时间确保了低延迟的数据读写操作。
该芯片工作电压为1.7V至1.9V，有助于实现低功耗设计，并支持-40°C至95°C的宽工作温度范围，适用于环境要求严苛的应用。其84-TFBGA表面贴装封装形式适合高密度电路板布局，为各类嵌入式及工业系统提供了可靠的高性能内存解决方案。
- 型号:MT47H32M16NF-25E AIT:H
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:84-FBGA（8x12.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 84FBGA
- 系列:-
- 包装:散装
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR2
- 存储容量:512Mb
- 存储器组织:32M x 16
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:400 MHz
- 写周期时间 - 字，页:15ns
- 访问时间:400 ps
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:-40°C ~ 95°C（TC）
- 等级:汽车级
- 资质:AEC-Q100
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:84-TFBGA
- 供应商器件封装:84-FBGA（8x12.5）
- 想获取MT47H32M16NF-25E AIT:H的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
