EDB8164B4PT-1D-F-R TR是美光科技生产的一款8Gb容量、采用移动LPDDR2技术的并行接口SDRAM。该器件针对低功耗和高性能需求进行了优化，其核心电压支持1.14V至1.95V的宽范围，时钟频率可达533MHz，实现了1066 Mbps/pin的数据传输速率。
该芯片采用216-WFBGA紧凑型封装，工作温度范围覆盖-30°C至85°C，确保了在各类移动和嵌入式应用中的可靠性。其集成了高级电源管理功能，在提供充足内存带宽的同时，能有效降低系统整体功耗，适用于对尺寸和能效有严格要求的场景。
- 型号:EDB8164B4PT-1D-F-R TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:216-FBGA（12x12）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 8GBIT PAR 216FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - 移动 LPDDR2
- 存储容量:8Gb
- 存储器组织:128M x 64
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:533 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.14V ~ 1.95V
- 工作温度:-30°C ~ 85°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:216-WFBGA
- 供应商器件封装:216-FBGA（12x12）
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