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MICRON
MT53D512M64D4RQ-046 WT ES:E的图片

MT53D512M64D4RQ-046 WT ES:E

美光(MICRON)图标
存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 32GBIT 2133MHZ 556WFBGA
原厂封装:产品封装:556-WFBGA
优势价格,MT53D512M64D4RQ-046 WT ES:E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT53D512M64D4RQ-046 WT ES:E的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT53D512M64D4RQ-046 WT ES:E是美光科技推出的一款32Gb容量、基于LPDDR4技术的移动SDRAM。该器件采用512M x 64的组织结构,在2133MHz的时钟频率下运行,凭借DDR技术实现高达4266MT/s的数据传输率,为应用处理器和协处理器提供高带宽数据通道。

其核心优势在于卓越的能效比,1.1V的低工作电压配合多种电源管理状态,显著降低了系统功耗。同时,器件采用556-WFBGA小型化封装,支持表面贴装,并具备-30°C至85°C的宽工作温度范围,满足移动及嵌入式设备对紧凑空间、长续航和可靠性的综合要求。

  • 制造商产品型号:MT53D512M64D4RQ-046 WT ES:E
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC DRAM 32GBIT 2133MHZ 556WFBGA
  • 产品系列:存储器
  • 包装:托盘
  • 系列:-
  • 零件状态:有源
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - Mobile LPDDR4
  • 存储容量:32Gb(512M x 64)
  • 存储器接口:-
  • 时钟频率:2133MHz
  • 写周期时间-字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压-供电:1.1V
  • 工作温度:-30°C ~ 85°C(TC)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:556-WFBGA
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