MT47H256M8EB-25E:C是美光科技生产的一款2Gb容量DDR2 SDRAM芯片，采用256M x 8的位宽配置。该器件基于DDR2技术，在400MHz的时钟频率下运行，实现每数据引脚800Mbps的有效数据传输速率，提供了较高的内存带宽。
其核心参数包括1.7V至1.9V的低工作电压范围，有助于控制功耗；400ps的快速访问时间和15ns的写周期时间确保了低延迟性能。器件采用60-TFBGA封装和并联接口，适用于表面贴装设计，工作温度范围为0°C至85°C，满足广泛的商业应用需求。
- 型号:MT47H256M8EB-25E:C
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:60-FBGA（9x11.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60FBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:最后售卖
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR2
- 存储容量:2Gb
- 存储器组织:256M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:400 MHz
- 写周期时间 - 字，页:15ns
- 访问时间:400 ps
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:60-TFBGA
- 供应商器件封装:60-FBGA（9x11.5）
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