MT29F2T08EMHAFJ4-3T:A TR是一款由美光科技制造的高性能2Tb容量并行NAND闪存芯片。该器件采用3D NAND技术，以256G x 8位的组织形式，提供了高存储密度和可靠的非易失性数据存储解决方案。
其核心特性包括高达333MHz时钟频率的并联接口，确保了高速数据吞吐能力；2.5V至3.6V的宽电压供电范围增强了系统设计兼容性。芯片采用132-VBGA封装，支持卷带包装和表面贴装，适用于0°C至70°C的商业温度环境，主要面向企业存储、服务器及高端嵌入式系统等需要大容量、高带宽存储的应用。
- 型号:MT29F2T08EMHAFJ4-3T:A TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:132-VBGA（12x18）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 2TBIT PARALLEL 132VBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:2Tb
- 存储器组织:256G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:333 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.5V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:132-VBGA
- 供应商器件封装:132-VBGA（12x18）
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