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MICRON
EDB1316BDBH-1DIT-F-R TR的图片

EDB1316BDBH-1DIT-F-R TR

美光(MICRON)图标
存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134VFBGA
原厂封装:产品封装:134-VFBGA
优势价格,EDB1316BDBH-1DIT-F-R TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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EDB1316BDBH-1DIT-F-R TR的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

EDB1316BDBH-1DIT-F-R TR是美光科技生产的一款1Gb容量移动LPDDR2 SDRAM存储器。该芯片采用并联接口,组织架构为64M x 16位,为核心处理器提供高效的数据交换通道。

其核心优势在于低功耗与高性能的平衡。工作电压范围为1.14V至1.95V,支持动态功耗管理;时钟频率达533MHz,结合DDR技术有效提升了数据传输速率。器件采用134-VFBGA小型化封装,适用于高密度PCB布局,并能在-40°C至85°C的宽温范围内稳定工作,满足严苛的工业与消费电子应用需求。

  • 制造商产品型号:EDB1316BDBH-1DIT-F-R TR
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134VFBGA
  • 产品系列:存储器
  • 包装:卷带(TR)
  • 系列:-
  • 零件状态:有源
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - 移动 LPDDR2
  • 存储容量:1Gb(64M x 16)
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:533MHz
  • 写周期时间-字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压-供电:1.14V ~ 1.95V
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C(TC)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:134-VFBGA
  • 想获取EDB1316BDBH-1DIT-F-R TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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