MT47H128M8SH-25E:M是美光科技生产的一款1Gb容量DDR2 SDRAM芯片，采用128M x 8位的组织架构。该器件基于并联接口，时钟频率为400MHz，可实现高达800MT/s的数据传输速率，提供出色的内存带宽以应对数据密集型应用。
其核心参数体现了高性能与低功耗的设计平衡：工作电压为1.8V典型值，访问时间低至400ps，写周期时间为15ns。芯片采用60-TFBGA表面贴装封装，工作温度范围为0°C至85°C，确保了在商业及工业嵌入式环境中的可靠运行。这些特性使其成为需要高速数据缓存和处理的网络通信、工业控制等设备的理想存储器选择。
- 型号:MT47H128M8SH-25E:M
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:60-FBGA（8x10）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60FBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:最后售卖
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR2
- 存储容量:1Gb
- 存储器组织:128M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:400 MHz
- 写周期时间 - 字，页:15ns
- 访问时间:400 ps
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:60-TFBGA
- 供应商器件封装:60-FBGA（8x10）
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