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MICRON
MT29F512G08EEHAFJ4-3RES:A的图片

MT29F512G08EEHAFJ4-3RES:A

美光(MICRON)图标
存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC FLASH 512GBIT PAR 132VBGA
原厂封装:产品封装:132-VBGA
优势价格,MT29F512G08EEHAFJ4-3RES:A的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT29F512G08EEHAFJ4-3RES:A的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT29F512G08EEHAFJ4-3RES:A 是美光科技生产的一款512Gb(64GB)容量、采用并联接口的NAND闪存芯片,封装形式为132-VBGA。该器件基于非易失性闪存技术,提供稳定的数据存储解决方案。

其核心卖点在于高密度存储与高速访问能力的结合。高达333MHz的时钟频率配合并联接口,可实现高速数据传输,满足性能密集型应用的需求。工作电压范围2.5V~3.6V,兼容性强,商用级工作温度范围(0°C~70°C)确保了在广泛环境下的适用性。

  • 制造商产品型号:MT29F512G08EEHAFJ4-3RES:A
  • 制造商:Micron Technology(美光科技)
  • 描述:IC FLASH 512GBIT PAR 132VBGA
  • 产品系列:存储器
  • 包装:托盘
  • 系列:-
  • 零件状态:有源
  • 存储器类型:非易失
  • 存储器格式:闪存
  • 技术:闪存 - NAND
  • 存储容量:512Gb(64G x 8)
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:333MHz
  • 写周期时间-字,页:-
  • 访问时间:-
  • 电压-供电:2.5V ~ 3.6V
  • 工作温度:0°C ~ 70°C(TA)
  • 安装类型:表面贴装型
  • 产品封装:132-VBGA
  • 想获取MT29F512G08EEHAFJ4-3RES:A的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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