NAND512R3A2SZA6F是美光科技推出的一款512Mb（64M x 8位）容量、并行接口的NAND闪存芯片。它采用1.7V至1.95V低电压供电，提供50ns的快速页编程和随机读取访问时间，支持高效的数据吞吐。芯片采用63-TFBGA表面贴装封装，工作温度范围为-40°C至85°C，满足工业级应用需求。
该器件基于异步并行接口设计，无需外部时钟，通过标准控制信号实现命令、地址和数据的传输。其内部架构组织为页和块，支持典型的NAND闪存操作。该芯片适用于需要中等容量、可靠非易失性存储且对读写性能有要求的各种嵌入式系统和工业设备。
- 型号:NAND512R3A2SZA6F
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:63-VFBGA（9x11）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 512MBIT PAR 63VFBGA
- 系列:-
- 包装:散装
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:512Mb
- 存储器组织:64M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:-
- 写周期时间 - 字，页:50ns
- 访问时间:50 ns
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:63-TFBGA
- 供应商器件封装:63-VFBGA（9x11）
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