MT47H128M4CF-25E:G TR是美光科技生产的一款512Mb容量DDR2 SDRAM芯片，采用128M x 4的组织架构。该器件在400MHz时钟频率下运行，实现800MT/s的数据传输速率，其并联接口和1.8V标准电压设计旨在提供高效、低功耗的内存解决方案。
该芯片提供400ps的访问时间和15ns的写周期时间，并采用60-TFBGA表面贴装封装，工作温度范围为0°C至85°C。其核心特性使其适用于对数据带宽和存储密度有明确要求的各类嵌入式及网络通信系统。
- 型号:MT47H128M4CF-25E:G TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:60-FBGA（8x10）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR2
- 存储容量:512Mb
- 存储器组织:128M x 4
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:400 MHz
- 写周期时间 - 字，页:15ns
- 访问时间:400 ps
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
- 工作温度:0°C ~ 85°C（TC）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:60-TFBGA
- 供应商器件封装:60-FBGA（8x10）
- 想获取MT47H128M4CF-25E:G TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
