MT29F256G08CMCBBH2-10:B TR是美光科技推出的一款256Gb容量NAND闪存芯片，采用并联接口，时钟频率高达100MHz，可实现高速数据读写。其核心组织架构为32G x 8位，工作电压范围为2.7V~3.6V，兼容性良好。
该芯片采用100-TBGA表面贴装封装，工作在0°C至70°C的商用温度范围内，提供非易失性数据存储解决方案。其高带宽的并行接口和大容量特性，使其能够满足对存储性能和空间有较高要求的复杂应用需求。
- 型号:MT29F256G08CMCBBH2-10:B TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:100-TBGA（12x18）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH 256GBIT PAR 100TBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:FLASH - NAND（MLC）
- 存储容量:256Gb
- 存储器组织:32G x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:100 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:100-TBGA
- 供应商器件封装:100-TBGA（12x18）
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