MT29F1T08EMHAFJ4-3RES:A是美光科技生产的一款1Tb容量并行接口NAND闪存芯片,采用3D NAND技术,提供128G x 8位的存储组织方式。其非易失性特性确保数据在断电后持久保存,适用于需要大容量非易失存储的解决方案。
该器件支持333MHz时钟频率和2.5V~3.6V宽电压供电,通过132-VBGA表面贴装封装实现紧凑设计,工作温度范围为0°C至70°C。这些参数使其能够满足高性能数据读写与稳定运行的要求,主要针对企业存储、工业系统及嵌入式应用等场景。
- 制造商产品型号:MT29F1T08EMHAFJ4-3RES:A
- 制造商:Micron Technology(美光科技)
- 描述:IC FLASH 1TB PARALLEL 132VBGA
- 产品系列:存储器
- 包装:托盘
- 系列:-
- 零件状态:有源
- 存储器类型:非易失
- 存储器格式:闪存
- 技术:闪存 - NAND
- 存储容量:1Tb(128G x 8)
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:333MHz
- 写周期时间-字,页:-
- 访问时间:-
- 电压-供电:2.5V ~ 3.6V
- 工作温度:0°C ~ 70°C(TA)
- 安装类型:表面贴装型
- 产品封装:132-VBGA
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