MT46V64M8CY-5B:J TR是美光科技推出的一款512Mb容量DDR SDRAM芯片，采用64M x 8位的存储结构。该器件基于双倍数据速率技术，在200MHz的时钟频率下可实现高达400MT/s的有效数据传输速率，显著提升了系统的数据吞吐能力。
其关键参数包括700ps的快速访问时间和15ns的写周期时间，确保了高速数据读写的低延迟。芯片工作在2.5V至2.7V的电压范围内，采用60-TFBGA表面贴装封装，工作温度范围为0°C至70°C，适用于商业级嵌入式应用环境。其并行接口设计便于系统集成，是要求高带宽、中等容量内存解决方案的理想选择。
- 型号:MT46V64M8CY-5B:J TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:60-FBGA（8x12.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:最后售卖
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR
- 存储容量:512Mb
- 存储器组织:64M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:200 MHz
- 写周期时间 - 字，页:15ns
- 访问时间:700 ps
- 电压 - 供电:2.5V ~ 2.7V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:60-TFBGA
- 供应商器件封装:60-FBGA（8x12.5）
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