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MICRON
MT47H128M16RT-25E XIT:C TR的图片

MT47H128M16RT-25E XIT:C TR

美光(MICRON)图标
集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
制造厂商:美光(MICRON)
功能简述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA
原厂封装:封装:84-FBGA(9x12.5)
优势价格,MT47H128M16RT-25E XIT:C TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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MT47H128M16RT-25E XIT:C TR的功能参数资料 - 美光公司(MICRON)提供

MT47H128M16RT-25E XIT:C TR是美光科技推出的一款2Gb容量DDR2 SDRAM,采用128M x 16位的组织架构和并联接口。该器件在400MHz时钟频率下运行,实现高达800Mbps/pin的数据传输速率,其400ps的快速访问时间和15ns的写周期时间确保了高效的数据处理能力。

该芯片工作电压为1.8V(范围1.7V~1.9V),采用84-TFBGA封装,支持表面贴装,并具备-40°C至95°C的宽工作温度范围,适用于对环境适应性要求高的工业与嵌入式应用。作为一款有源的易失性存储器,它提供了高带宽、低延迟的解决方案,适用于需要大容量、高速数据缓冲的系统。

  • 型号:MT47H128M16RT-25E XIT:C TR
  • 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
  • 封装:84-FBGA(9x12.5)
  • 类目:集成电路(IC) > 存储器 > 存储器
  • 描述:IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84FBGA
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 南皇电子 可编程:未验证
  • 存储器类型:易失
  • 存储器格式:DRAM
  • 技术:SDRAM - DDR2
  • 存储容量:2Gb
  • 存储器组织:128M x 16
  • 存储器接口:并联
  • 时钟频率:400 MHz
  • 写周期时间 - 字,页:15ns
  • 访问时间:400 ps
  • 电压 - 供电:1.7V ~ 1.9V
  • 工作温度:-40°C ~ 95°C(TC)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:84-TFBGA
  • 供应商器件封装:84-FBGA(9x12.5)
  • 想获取MT47H128M16RT-25E XIT:C TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
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