MT40A2G4SA-062E:E

MT40A2G4SA-062E:E是美光科技生产的一款8Gb容量DDR4 SDRAM芯片，采用2G x 4的并行架构。该器件基于DDR4技术，运行时钟频率高达1.6GHz（数据速率3200 MT/s），能够提供显著提升的数据传输带宽，满足现代高性能计算对内存速度的需求。

其核心优势在于优异的能效与信号完整性管理。工作电压低至1.14V-1.26V，有效降低了系统功耗。同时，芯片支持可编程时序参数、片上终端电阻（ODT）以及ZQ校准功能，使设计人员能够针对特定系统环境优化信号质量和时序裕量，确保在高密度、高速运行下的可靠性。

该芯片采用78-TFBGA表面贴装封装，工作温度范围为0°C至95°C（TC），适用于要求严苛的商业计算环境，是企业级服务器、数据中心、网络设备和高端存储系统等应用的理想内存解决方案。

• 型号:MT40A2G4SA-062E:E
• 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
• 封装:78-FBGA（7.5x11）
• 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
• 描述:IC DRAM 8GBIT PARALLEL 78FBGA
• 系列:-
• 包装:托盘
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 存储器类型:易失
• 存储器格式:DRAM
• 技术:SDRAM - DDR4
• 存储容量:8Gb
• 存储器组织:2G x 4
• 存储器接口:并联
• 时钟频率:1.6 GHz
• 写周期时间 - 字，页:-
• 访问时间:-
• 电压 - 供电:1.14V ~ 1.26V
• 工作温度:0°C ~ 95°C（TC）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:78-TFBGA
• 供应商器件封装:78-FBGA（7.5x11）
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