MT46V64M8P-5B:F TR是美光科技推出的一款512Mb容量DDR SDRAM芯片，采用64M x 8位的组织架构。该器件基于DDR技术，在200MHz的时钟频率下可实现400MT/s的有效数据传输速率，其700ps的访问时间和15ns的写周期时间确保了快速的数据读写响应能力。
芯片工作电压为2.5V至2.7V，采用66引脚TSOP表面贴装封装，工作温度范围覆盖商业级的0°C至70°C。其并联接口和易失性DRAM格式使其适用于需要中等带宽和容量内存缓冲的各类电子系统。作为一款已停产的器件，它仍在诸多存量设备和特定设计中扮演关键角色。
- 型号:MT46V64M8P-5B:F TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:66-TSOP
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 66TSOP
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR
- 存储容量:512Mb
- 存储器组织:64M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:200 MHz
- 写周期时间 - 字，页:15ns
- 访问时间:700 ps
- 电压 - 供电:2.5V ~ 2.7V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:66-TSSOP（szeroko 0，400，10，16mm）
- 供应商器件封装:66-TSOP
- 想获取MT46V64M8P-5B:F TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料
