MT29F1T08CMCBBJ4-37ES:B TR

MT29F1T08CMCBBJ4-37ES:B TR是美光科技生产的一款1Tb（128GB）容量NAND闪存芯片，采用并联接口和132-VBGA封装，专为高密度、高速存储应用设计。其核心卖点包括267MHz时钟频率带来的快速数据传输能力，以及2.7V至3.6V宽电压供电范围，确保在多种系统环境中的兼容性和稳定性。

作为非易失性存储器，该芯片在断电后能可靠保存数据，适用于需要长期数据存储的场景。工作温度0°C至70°C和表面贴装型设计，使其易于集成到商业级电子设备中，如企业存储、网络设备和嵌入式系统，提供高效的大容量存储解决方案。

• 制造商产品型号：MT29F1T08CMCBBJ4-37ES:B TR
• 制造商：Micron Technology（美光科技）
• 描述：IC FLASH 1TB PARALLEL 132VBGA
• 产品系列：存储器
• 包装：卷带（TR）
• 系列：-
• 零件状态：有源
• 存储器类型：非易失
• 存储器格式：闪存
• 技术：闪存 - NAND
• 存储容量：1Tb（128G x 8）
• 存储器接口：并联
• 时钟频率：267MHz
• 写周期时间-字，页：-
• 访问时间：-
• 电压-供电：2.7V ~ 3.6V
• 工作温度：0°C ~ 70°C（TA）
• 安装类型：表面贴装型
• 产品封装：132-VBGA
• 想获取MT29F1T08CMCBBJ4-37ES:B TR的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料