MT46V64M8FN-75:D是美光科技生产的一款512Mb容量DDR SDRAM芯片，采用64M x 8位组织架构和并联接口。该器件基于DDR技术，在133MHz的时钟频率下实现高达266MT/s的数据传输速率，其核心优势在于750ps的快速访问时间和15ns的写周期时间，能够显著提升系统的数据吞吐效率。
芯片采用2.3V至2.7V低电压供电，符合低功耗设计趋势，并以60-TFBGA封装形式提供，适用于表面贴装工艺。其工作温度范围为0°C至70°C，主要面向商业级应用环境。这款存储器为需要可靠、中等性能内存解决方案的嵌入式及工业系统提供了关键的支持。
- 型号:MT46V64M8FN-75:D
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:60-FBGA（10x12.5）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:易失
- 存储器格式:DRAM
- 技术:SDRAM - DDR
- 存储容量:512Mb
- 存储器组织:64M x 8
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:133 MHz
- 写周期时间 - 字，页:15ns
- 访问时间:750 ps
- 电压 - 供电:2.3V ~ 2.7V
- 工作温度:0°C ~ 70°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:60-TFBGA
- 供应商器件封装:60-FBGA（10x12.5）
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