MT29C8G96MAYBADJV-5 WT TR是美光科技的一款高集成度复合存储器芯片，采用168-VFBGA封装。它将8Gb NAND闪存（1G x 8）与4Gb移动LPDRAM（128M x 32）集成于单一器件内，通过并联接口进行通信，旨在为空间和功耗敏感型应用提供优化的存储解决方案。
该器件工作电压范围为1.7V至1.95V，支持-25°C至85°C的工业级工作温度，其LPDRAM部分时钟频率可达200MHz，确保了系统运行所需的高速数据访问能力。这种闪存与RAM的物理集成设计，显著减少了PCB面积占用和系统复杂度，主要面向已定型或特定批量的移动及嵌入式设备项目。
- 型号:MT29C8G96MAYBADJV-5 WT TR
- 品牌:Micron Technology Inc. (Micron,美光)
- 封装:168-VFBGA（12x12）
- 类目:集成电路（IC） > 存储器 > 存储器
- 描述:IC FLASH RAM 8GBIT PAR 168VFBGA
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:停产
- 南皇电子 可编程:未验证
- 存储器类型:非易失性，易失性
- 存储器格式:FLASH，RAM
- 技术:闪存 - NAND，移动 LPDRAM
- 存储容量:8Gb（NAND），4Gb（LPDRAM）
- 存储器组织:1G x 8（NAND），128M x 32（LPDRAM）
- 存储器接口:并联
- 时钟频率:200 MHz
- 写周期时间 - 字，页:-
- 访问时间:-
- 电压 - 供电:1.7V ~ 1.95V
- 工作温度:-25°C ~ 85°C（TA）
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 封装/外壳:168-VFBGA
- 供应商器件封装:168-VFBGA（12x12）
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